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TK31V60W,LVQ(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.310 |
| 10+ | $5.700 |
| 25+ | $5.320 |
| 50+ | $4.920 |
| 100+ | $4.430 |
| 250+ | $3.750 |
| 500+ | $3.620 |
| 1000+ | $3.470 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK31V60W,LVQ(S
No. Parte Newark33AK9370
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id30.8
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.078
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7
Disipación de Potencia240
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
240
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
30.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.078
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
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