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TK3A60DA(STA4,Q,M)
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Agujero Pasante
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK3A60DA(STA4,Q,M)
No. Parte Newark72AK4493
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $0.492 |
| 100+ | $0.492 |
| 500+ | $0.452 |
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| 2500+ | $0.417 |
| 10000+ | $0.417 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK3A60DA(STA4,Q,M)
No. Parte Newark72AK4493
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id2.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.2
Diseño de TransistorSC-67
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.4
Disipación de Potencia30
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.5
Diseño de Transistor
SC-67
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
30
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.2
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto