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TK4R4P06PL,RQ(S2
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 106 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK4R4P06PL,RQ(S2
No. Parte Newark72AK4530
Rango de ProductoU-MOSIX-H Series
Hoja de datos técnicos
2,349 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.240 |
| 10+ | $2.000 |
| 25+ | $1.840 |
| 50+ | $1.680 |
| 100+ | $1.500 |
| 250+ | $1.330 |
| 500+ | $1.240 |
| 1000+ | $1.190 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK4R4P06PL,RQ(S2
No. Parte Newark72AK4530
Rango de ProductoU-MOSIX-H Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id106
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3400µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia87
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoU-MOSIX-H Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
106
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
87
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3400µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
U-MOSIX-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto