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TPH1400ANH,L1Q(M
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH1400ANH,L1Q(M
No. Parte Newark09AK8983
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id42
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0113
Diseño de TransistorSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia48
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
48
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
42
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0113
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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