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TPH6R30ANL,L1Q(M
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 66 A, 0.0051 ohm, SOP Advance, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH6R30ANL,L1Q(M
No. Parte Newark72AK4626
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH6R30ANL,L1Q(M
No. Parte Newark72AK4626
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id66
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0051
Diseño de TransistorSOP Advance
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia54
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
66
Diseño de Transistor
SOP Advance
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
54
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0051
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
U-MOSVIII-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto