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TPH8R903NL,LQ(S
MOSFET, N-CH, 30V, 38A, SOP ADVANCE
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH8R903NL,LQ(S
No. Parte Newark72AK4629
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 29 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.740 |
| 10+ | $0.618 |
| 25+ | $0.554 |
| 50+ | $0.501 |
| 100+ | $0.439 |
| 250+ | $0.393 |
| 500+ | $0.326 |
| 1000+ | $0.316 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.74
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH8R903NL,LQ(S
No. Parte Newark72AK4629
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id38
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7600µohm
Diseño de TransistorSOP Advance
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3
Disipación de Potencia24
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
38
Diseño de Transistor
SOP Advance
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
24
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7600µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
U-MOSVIII-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto