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UF3C065080K4S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3C065080K4S
No. Parte Newark47AK1755
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id31A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia190W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia
190W
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
31A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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