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UF3C120040K4S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $29.290 |
| 5+ | $28.010 |
| 10+ | $26.740 |
| 25+ | $25.460 |
| 50+ | $23.720 |
| 100+ | $21.970 |
| 250+ | $20.720 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3C120040K4S
No. Parte Newark47AK1758
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id65A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.035ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia429W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.035ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia
429W
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
65A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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