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UF3C120150B7S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3C120150B7S
No. Parte Newark78AK8896
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id17A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente150mohm
Diseño de TransistorD2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5V
Disipación de Potencia136W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
17A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
150mohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
D2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
136W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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