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UF3C170400B7S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $7.890 |
| 25+ | $7.450 |
| 50+ | $7.010 |
| 100+ | $6.570 |
| 250+ | $6.450 |
| 500+ | $6.320 |
| 1600+ | $6.130 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3C170400B7S
No. Parte Newark78AK8898
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id7.6A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente410mohm
Diseño de TransistorD2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6V
Disipación de Potencia100W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
7.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
410mohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7kV
Diseño de Transistor
D2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
100W
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto