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UF3SC120040B7S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $34.300 |
| 10+ | $28.580 |
| 25+ | $28.220 |
| 50+ | $27.840 |
| 100+ | $27.480 |
| 250+ | $26.500 |
| 500+ | $25.520 |
| 1600+ | $25.510 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3SC120040B7S
No. Parte Newark78AK8902
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id47
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente35
Diseño de TransistorD2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6
Disipación de Potencia214
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
47
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
35
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
D2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia
214
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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