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UF4C120053K4S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF4C120053K4S
No. Parte Newark78AK8904
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id34
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente53
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6
Disipación de Potencia263
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
34
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
53
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia
263
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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