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UJ3C065080T3S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ3C065080T3S
No. Parte Newark47AK1773
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id31
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Diseño de TransistorTO-220
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia190
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
31
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia
190
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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