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2N7002K-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 300 mA, 2 ohm, TO-236, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.080 |
| 6000+ | $0.075 |
| 12000+ | $0.070 |
| 18000+ | $0.068 |
| 30000+ | $0.067 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte Fabricante2N7002K-T1-E3
No. Parte Newark73W9426
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id300
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2
Resistencia de Activación Rds(on)2ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd350mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Diseño de TransistorTO-236
Disipación de Potencia350
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El 2N7002K-T1-E3 es un MOSFET de canal N de 60 V diseñado para su uso con interfaz de nivel lógico directo y sistemas operados por batería. También es adecuado para relés, solenoides, lámparas, martillos, pantallas, memorias y controladores de transistores.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Bajo umbral
- Capacidad de entrada baja (25pF)
- Velocidad de conmutación rápida (25ns)
- Fuga baja de entrada y salida
- TrenchFET® power MOSFET
- Protección contra ESD de 2000V
- Bajo voltaje de compensación
- Operación de bajo voltaje
- Fácilmente manejado sin búfer
- Circuitos de alta velocidad
- Bajo error de voltaje
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-236
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
300
Resistencia de Activación Rds(on)
2ohm
Disipación de Potencia Pd
350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia
350
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N7002K-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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