Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF740PBF-BE3
No. Parte Newark78AH6381
Rango de ProductoIRF740 Series
Hoja de datos técnicos
945 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $1.080 |
10+ | $1.080 |
25+ | $1.080 |
50+ | $1.080 |
100+ | $1.080 |
500+ | $1.080 |
1000+ | $1.080 |
2500+ | $1.080 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.08
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF740PBF-BE3
No. Parte Newark78AH6381
Rango de ProductoIRF740 Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.55
Resistencia de Activación Rds(on)0.55ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd125W
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoIRF740 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
Notas
El sufijo BE3 indica producción fuera de China, no sujeta a aranceles de importación de EE. UU.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.55
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
125W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
IRF740 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia de Activación Rds(on)
0.55ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto