Imprimir página
IRF820PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
581 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.740 |
| 10+ | $0.737 |
| 25+ | $0.680 |
| 50+ | $0.680 |
| 100+ | $0.680 |
| 500+ | $0.680 |
| 1000+ | $0.680 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.74
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF820PBF
No. Parte Newark63J7404
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id2.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3
Resistencia de Activación Rds(on)3ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd50W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-220
Disipación de Potencia50
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRF820PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 500V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia a la sobrecarga. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Temperatura de funcionamiento de 150°C
- Fácil conexión paralela
- Requerimiento controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.5
Resistencia de Activación Rds(on)
3ohm
Disipación de Potencia Pd
50W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF820PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto