Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
170 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.353 |
10+ | $0.353 |
25+ | $0.353 |
50+ | $0.353 |
100+ | $0.353 |
500+ | $0.353 |
1000+ | $0.353 |
2500+ | $0.353 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.35
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF830APBF
No. Parte Newark63J7407
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id5
Resistencia de Activación Rds(on)1.4ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.4
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd74W
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia74
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRF830APBF es un MOSFET SMPS de canal N de 500V con Qg de carga de puerta baja que da como resultado un requisito de unidad simple. Funciona a alta frecuencia con la aplicación de conmutación dura. Adecuado para SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida y conmutación de energía de alta velocidad.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Temperatura de funcionamiento de 150°C
- Fácil conexión paralela
- Requerimiento controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
1.4ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
74W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.4
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
74
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto