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IRF9530PBF-BE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9530PBF-BE3
No. Parte Newark06AJ9172
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia de Activación Rds(on)0.3ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia88
Disipación de Potencia Pd88W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.3ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
88
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
88W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto