Imprimir página
IRF9530PBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
42 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.890 |
| 10+ | $1.090 |
| 25+ | $1.060 |
| 50+ | $1.030 |
| 100+ | $0.999 |
| 500+ | $0.849 |
| 1000+ | $0.834 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.89
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9530PBF
No. Parte Newark63J7430
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.3ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd88W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Diseño de TransistorTO-220AB
Disipación de Potencia88W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRF9530PBF es un MOSFET de potencia de canal P de -100 V, el MOSFET de potencia HEXFET® de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Fácil conexión paralela
- Requerimiento controlador sencillo
- Conmutación rápida
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
88W
Diseño de Transistor
TO-220AB
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.3ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
88W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto