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IRF9540STRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9540STRLPBF
No. Parte Newark05W6876
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id19
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
19
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
150W
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRF9540STRLPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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