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IRFBC40ASPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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|---|---|
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFBC40ASPBF
No. Parte Newark63J6688
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id6.2
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
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