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IRFBE30PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFBE30PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark63J6695
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFBE30PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark63J6695
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id4.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3
Resistencia de Activación Rds(on)3ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-220
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Alternativas para el número de pieza IRFBE30PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El IRFBE30PBF es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 800V con configuración única. Este Power MOSFET de tercera generación de Vishay proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto del dispositivo y baja resistencia de encendido. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Conmutación rápida
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.1
Resistencia de Activación Rds(on)
3ohm
Disipación de Potencia Pd
125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto