Imprimir página
IRFBE30PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
238 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.700 |
| 10+ | $2.330 |
| 25+ | $2.250 |
| 50+ | $2.160 |
| 100+ | $2.090 |
| 500+ | $2.010 |
| 1000+ | $1.950 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.70
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFBE30PBF
No. Parte Newark63J6695
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id4.1
Resistencia de Activación Rds(on)3ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd125W
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRFBE30PBF es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 800V con configuración única. Este Power MOSFET de tercera generación de Vishay proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto del dispositivo y baja resistencia de encendido. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Conmutación rápida
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia de Activación Rds(on)
3ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto