Imprimir página
IRFBG30PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
360 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.790 |
| 10+ | $2.040 |
| 25+ | $1.990 |
| 50+ | $1.980 |
| 100+ | $1.980 |
| 500+ | $1.970 |
| 1000+ | $1.850 |
| 2500+ | $1.790 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.79
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFBG30PBF
No. Parte Newark63J6702
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id3.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-220
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRFBG30PBF es un MOSFET de potencia de tercera generación de canal N diseñado con la combinación de conmutación rápida, baja resistencia de encendido y rentabilidad.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Conmutación rápida
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.1
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Disipación de Potencia Pd
125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFBG30PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto