Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Opciones de embalaje
5,321 En Stock
¿Necesita más?
3051 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
2270 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.323 |
10+ | $0.323 |
25+ | $0.323 |
50+ | $0.323 |
100+ | $0.323 |
250+ | $0.323 |
500+ | $0.323 |
1000+ | $0.323 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.32
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFL110TRPBF
No. Parte Newark60AC3691
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id1.5
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.54
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia3.1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IRFL110TRPBF is a HEXFET® third generation N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of greater than 1.25W is possible in a typical surface-mount application.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rating
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.54
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
3.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto