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IRFL9110TRPBF-BE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFL9110TRPBF-BE3
No. Parte Newark80AH8948
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id1.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia3.1
Disipación de Potencia Pd3.1W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
Notas
El sufijo BE3 indica producción fuera de China, no sujeta a aranceles de importación de EE. UU.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
3.1
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.1
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
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