Imprimir página
IRFP240PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
316 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.540 |
| 10+ | $2.540 |
| 25+ | $2.540 |
| 50+ | $2.360 |
| 100+ | $2.200 |
| 500+ | $2.200 |
| 1000+ | $2.140 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.54
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFP240PBF
No. Parte Newark63J6857
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.18ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd150W
Diseño de TransistorTO-247
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia150W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRFP240PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 200V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia a la sobrecarga.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Fácil conexión paralela
- Requerimiento controlador sencillo
- Orificio de montaje central aislado
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Núm. de Contactos
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.18ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto