Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
1,685 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles
¿Necesita más?
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1000+ | $1.280 |
2500+ | $1.230 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1000
Múltiple: 1000
$1,280.00
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFZ40PBF.
No. Parte Newark26AC0569
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028
Resistencia de Activación Rds(on)0.028ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd150W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-220
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRFZ40PBF es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia de encendido. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del paquete contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 175°C
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
35
Resistencia de Activación Rds(on)
0.028ohm
Disipación de Potencia Pd
150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto