Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
48 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $1.680 |
10+ | $1.550 |
25+ | $1.550 |
50+ | $1.440 |
100+ | $1.440 |
500+ | $1.350 |
1000+ | $1.310 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.68
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRLZ44PBF
No. Parte Newark63J7713
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028
Resistencia de Activación Rds(on)0.028ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Disipación de Potencia Pd150W
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRLZ44PBF es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia de encendido. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del paquete contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Unidad de puerta de nivel lógico
- RDS (ON) especificado en VGS = 4 y 5V
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 175°C
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia de Activación Rds(on)
0.028ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto