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SI1032X-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1032X-T1-GE3
No. Parte Newark85W3201
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)6
Disipación de Potencia Pd300mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700
Diseño de TransistorSC-89
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
300mW
Diseño de Transistor
SC-89
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5
Voltaje de Prueba Rds(on)
6
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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