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SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 1.4A, SOT-323 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1308EDL-T1-GE3
No. Parte Newark96AJ0100
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
9,000 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.188 |
| 6000+ | $0.179 |
| 12000+ | $0.173 |
| 18000+ | $0.170 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$564.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1308EDL-T1-GE3
No. Parte Newark96AJ0100
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id1.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.132ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.4A
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.132ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI1308EDL-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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