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SI1317DL-T1-BE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SC-70, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1317DL-T1-BE3
No. Parte Newark36AJ8050
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1317DL-T1-BE3
No. Parte Newark36AJ8050
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id1.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.125ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.125
Diseño de TransistorSC-70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800
Disipación de Potencia Pd500mW
Disipación de Potencia500
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoTrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.125ohm
Diseño de Transistor
SC-70
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia Pd
500mW
Núm. de Contactos
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.125
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
TrenchFET Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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