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SI1469DH-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 1.6 A, 0.08 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1469DH-T1-E3
No. Parte Newark69W7178
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id1.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Resistencia de Activación Rds(on)0.065ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2.78W
Diseño de TransistorSOT-323
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia2.78
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI1469DH-T1-E3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 20VDS adecuado para aplicaciones de interruptor de carga.
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.78W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.065ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-323
Disipación de Potencia
2.78
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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