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SI1553CDL-T1-BE3
MOSFET Dual, Canal N y P, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1553CDL-T1-BE3
No. Parte Newark36AJ8055
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1553CDL-T1-BE3
No. Parte Newark36AJ8055
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id700mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N700
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P700
Diseño de TransistorSC-70
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.325
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.325
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N340
Disipación de Potencia de Canal P340
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoTrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N y P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
700
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.325
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
340
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Intensidad Drenador Continua Id
700mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
700
Diseño de Transistor
SC-70
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.325
Disipación de Potencia de Canal N
340
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
TrenchFET Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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