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SI1902CDL-T1-GE3.
MOSFET Dual, Doble Canal N, 20 V, 1.1 A, 23.5 mohm
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 20000+ | $0.126 |
| 30000+ | $0.117 |
| 50000+ | $0.108 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1902CDL-T1-GE3.
No. Parte Newark23AC9590
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id1.1A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.1
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente23.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N420
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
1.1A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.1
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
23.5
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
420
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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