Imprimir página
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 35 semana(s)
Avísenme cuando vuelva a estar en stock
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.580 |
| 25+ | $0.386 |
| 50+ | $0.325 |
| 100+ | $0.262 |
| 250+ | $0.242 |
| 500+ | $0.222 |
| 1000+ | $0.182 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.58
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2301CDS-T1-E3
No. Parte Newark69W7185
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id3.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.11ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.112
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje de Prueba Rds(on)2.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
Si2301CDS-T1-E3 is a P-channel 20V (D-S) MOSFET. The applications include a load switch.
- TrenchFET® Power MOSFET
- Drain-source breakdown voltage is -20V min (VGS = 0V, ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from -0.4 to 1V (VDS = VGS, ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current is - 3.1A (TJ = 150 °C, TC = 25°C)
- Pulsed drain current is -10A (TA = 25°C)
- Continuous source-drain diode current is -1.3A (TC = 25°C, TA = 25°C)
- Maximum power dissipation is 1.6W (TC = 25°C, TA = 25°C)
- VDS temperature coefficient is -18mV/°C typ (ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 9.5S typ (VDS = - 5V, ID = - 2.8A, TJ = 25°C)
- SOT-23 package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.11ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.5
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.112
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2301CDS-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto