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SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 3.1A, TO-236 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 12000+ | $0.193 |
| 18000+ | $0.192 |
| 30000+ | $0.189 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2301CDS-T1-GE3
No. Parte Newark96AJ0103
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id3.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.112ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-236
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)2.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400mV
Disipación de Potencia860mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.112ohm
Diseño de Transistor
TO-236
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.5V
Disipación de Potencia
860mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.1A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2301CDS-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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