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SI2302CDS-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2302CDS-T1-E3
No. Parte Newark69W7186
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id2.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.057
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd710mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400
Disipación de Potencia710
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI2302CDS-T1-E3 es un MOSFET de potencia en modo de canal N TrenchFET® de 20 VDS adecuado para aplicaciones de conmutador de carga y convertidor de CD a CD.
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.057
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
710mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
710
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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