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SI2306BDS-T1-E3.
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 3.16 A, 0.038 ohm, TO-236, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2306BDS-T1-E3.
No. Parte Newark26AC3315
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id3.16
Resistencia de Activación Rds(on)0.038ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.038
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.25W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-236
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia1.25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.038ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.038
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Diseño de Transistor
TO-236
Disipación de Potencia
1.25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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