Imprimir página
SI2308BDS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 8 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.212 |
| 6000+ | $0.201 |
| 12000+ | $0.186 |
| 18000+ | $0.180 |
| 30000+ | $0.172 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$636.00
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2308BDS-T1-GE3
No. Parte Newark71T8044
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id2.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.156
Resistencia de Activación Rds(on)0.13ohm
Diseño de TransistorTO-236
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.09W
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia1.09
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI2308BDS-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 60 VDS adecuado para el interruptor de batería y las aplicaciones de conversión de CD a CD.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.156
Diseño de Transistor
TO-236
Disipación de Potencia Pd
1.09W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.13ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
1.09
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI2308BDS-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto