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SI2308DS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 2 A, 0.125 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 13 semana(s)
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2308DS-T1-GE3
No. Parte Newark84R8024
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.125ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.125ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.25W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia1.25W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.125ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.125ohm
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (1)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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