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SI2328DS-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.436 |
| 6000+ | $0.414 |
| 12000+ | $0.398 |
| 18000+ | $0.393 |
| 30000+ | $0.389 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2328DS-T1-E3
No. Parte Newark35K3454
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id1.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25
Resistencia de Activación Rds(on)0.25ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd730mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia730
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.25ohm
Disipación de Potencia Pd
730mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
730
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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