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SI2343DS-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 4 A, 53 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 6000+ | $0.348 |
| 12000+ | $0.323 |
| 18000+ | $0.322 |
| 30000+ | $0.319 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2343DS-T1-E3
No. Parte Newark35K3455
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente53
Resistencia de Activación Rds(on)0.086ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.25W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia1.25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
53
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.086ohm
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
1.25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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