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SI2377EDS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2377EDS-T1-GE3
No. Parte Newark23T8501
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id4.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.05ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.061ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400
Disipación de Potencia Pd1.25W
Disipación de Potencia1.25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P de 20V (D-S)
- Probado Rg 100%
- Desempeño ESD típico de 2000V
- Construido en protección ESD con diodo Zener
- Utilizado en interruptor de carga para aplicaciones portátiles
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.05ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia Pd
1.25W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.061ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400
Disipación de Potencia
1.25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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