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SI3585CDV-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 48 mohm
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3585CDV-T1-GE3
No. Parte Newark70AC6501
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id3.9A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.9
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.9
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente48
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.048
Diseño de TransistorTSOP
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.4
Disipación de Potencia de Canal P1.4
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza SI3585CDV-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
3.9A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.9
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.048
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.4
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.9
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
48
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia de Canal N
1.4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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