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SI3590DV-T1-GE3
MOSFET, N/P-CH, 30V, 2.5A, TSOP ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.652 |
| 6000+ | $0.605 |
| 12000+ | $0.559 |
| 18000+ | $0.543 |
| 30000+ | $0.534 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$1,956.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3590DV-T1-GE3
No. Parte Newark86AK6282
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.062ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.062ohm
Diseño de TransistorTSOP
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N830mW
Disipación de Potencia de Canal P830mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.062ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
830mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.062ohm
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia de Canal N
830mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza SI3590DV-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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