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SI3932DV-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3932DV-T1-GE3
No. Parte Newark01AC4992
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.542 |
| 10+ | $0.513 |
| 25+ | $0.486 |
| 50+ | $0.458 |
| 100+ | $0.433 |
| 250+ | $0.407 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.71
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3932DV-T1-GE3
No. Parte Newark01AC4992
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Intensidad Drenador Continua Id3.7A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.7
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.047
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.047
Diseño de TransistorTSOP
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.4
Disipación de Potencia de Canal P1.4
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia TrenchFET® de doble canal N de 30V (D-S)
- Probado Rg 100%
- Se utiliza en interruptores de carga para aplicaciones portátiles, convertidores CD/CD
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Intensidad Drenador Continua Id
3.7A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.7
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.047
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.4
Rango de Producto
TrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.047
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia de Canal N
1.4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto