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SI4122DY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 27.2 A, 0.0045 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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|---|---|
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4122DY-T1-GE3
No. Parte Newark16P3726
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id27.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.006ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0045
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3W
Voltaje de Prueba Rds(on)25
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia3
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.006ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
25
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
27.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0045
Disipación de Potencia Pd
3W
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4122DY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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