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SI4174DY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 17 A, 0.0095 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4174DY-T1-GE3
No. Parte Newark90R9128
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id17
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0095ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0078ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI4174DY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 30 VDS adecuado para aplicaciones de interruptor de lado alto.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
17
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0078ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0095ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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