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SI4288DY-T1-GE3.
MOSFET Dual, Doble Canal N, 40 V, 9.2 A, 2 mohm
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4288DY-T1-GE3.
No. Parte Newark30AC0152
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id9.2A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N9.2
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.1
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
9.2A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
9.2
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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