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SI4459BDY-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -30V, -27.8A, SOIC
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4459BDY-T1-GE3
No. Parte Newark56AC6588
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.780 |
| 10+ | $1.300 |
| 25+ | $1.200 |
| 50+ | $1.090 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4459BDY-T1-GE3
No. Parte Newark56AC6588
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id27.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4900µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia5.6W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4900µohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
27.8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
5.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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